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IXTP450P2

更新时间： 2024-11-05 12:02:23

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5页	144K
描述
Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTP450P2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	4.46
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.33 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTP450P2 数据手册

Polar2^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 500V

I_D25= 16A

R_DS(on)≤ 330mΩ

t_rr(typ)= 400ns

IXTP450P2

IXTQ450P2

IXTH450P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220AB (IXTP)

Fast Intrinsic Diode

Tab

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

TO-247(IXTH)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

Tab

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Avalanche Rated

Weight

TO-220

TO-3P

TO-247

3.0

5.5

6.0

Fast Intrinsic Diode

Dynamic dv/dt Rated

Low Package Inductance

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

4.5

Applications

± 100 nA

μA

Switch-Mode and Resonant-Mode

I_DSS

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

T_J= 125°C

25 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

330 mΩ

Robotics and Servo Controls

DS100241A(10/11)

12 3 4 5

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IXTP450P2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH450P2	IXYS	功能相似	Polar2TM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTP450P2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP460P2	IXYS	获取价格	PolarP2â¢ Power MOSFET
IXTP460P2	LITTELFUSE	获取价格	Polar2?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计师提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP48N20T	IXYS	获取价格	TrenchHVTM Power MOSFET
IXTP48N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP48P05T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP48P05T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IXTP4N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IXTP4N100A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N100A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N45	IXYS	获取价格	4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm

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