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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A | 最大漏极电流 (ID)： | 40 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH40N30 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH40N50L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH40N50L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH41N25 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 250V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH420N04T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH42N15 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH42N15MA | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH42N15MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH42N20 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH42N20MA | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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