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IXTH40N50L2

更新时间： 2024-11-18 19:48:23

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力特 - LITTELFUSE		局域网放大器脉冲晶体管
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6页	198K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTH40N50L2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	4.9
其他特性：	AVALANCE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	540 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH40N50L2 数据手册

LinearL2^TM

Power MOSFET

w/Extended FBSOA

V_DSS= 500V

I_D25= 40A

R_DS(on) 170m

IXTT40N50L2

IXTQ40N50L2

IXTH40N50L2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche rated

TO-268 (IXTT)

D (Tab)

TO-3P (IXTQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

P_D

T_C= 25C

540

D (Tab)

D = Drain

T_J

-55 to +150

+150

C

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

-55 to +150

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247&TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

Features

^Designed for Linear Operation

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

^Molding Epoxies Meet UL 94 V-0

Flammability Classification

^Guaranteed FBSOA at 75C

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

100 nA

I_DSS

50 A

300 A

^Linear Amplifiers

T_J= 125C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

^Programmable Loads

^Current Regulators

R_DS(on)

170 m

DS100100B(6/17)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH41N25	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 250V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IXTH42N15	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH42N15MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH42N15MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH42N20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH42N20MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH42N20MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH440N055T2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTH440N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

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