5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 39 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH39N08MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH39N10MA | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH39N10MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTH3N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTH3N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
|
| IXTH3N120 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFETs |
|
| IXTH3N120 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
|
| IXTH3N150 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXTH3N150 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTH3N200P3HV | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
