Datasheet > IXTH30N60P

IXTH30N60P

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	418K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH30N60P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.39	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.24 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH30N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTH 30N60P

IXTQ 30N60P

IXTT 30N60P

IXTV 30N60P

IXTV 30N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 30

R_DS(on)≤ 240 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-3P (IXTQ)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

540

TO-268 (IXTT)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

D (TAB)

PLUS220 (IXTV)

Mounting torque

Mounting force

(TO-3P, TO-247)

(PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

11..65/2.5..15

F_C^d

N/lb.

Weight

TO-247

TO-3P

PLUS220

6.0

5.5

4.0

5.0

TO-268

PLUS220 (IXTV...S)

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

D (TAB)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

600

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

3.0

5.0

100

Features

Fast Recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

International standard packages

Low package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

240 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99251E(12/05)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTH30N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH31N15MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-247(5)
IXTH31N15MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH31N20MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH31N20MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH32N65X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH32N65X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXTH32P20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTH32P20T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH340N04T4	LITTELFUSE	获取价格	40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供27
IXTH34N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

与IXTH30N60P相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH30N60P

IXTH30N60P 技术参数

IXTH30N60P 数据手册

与IXTH30N60P相关器件

与IXTH30N60P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH30N60P

IXTH30N60P 技术参数

IXTH30N60P 数据手册

与IXTH30N60P相关器件

与IXTH30N60P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？