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IXTH32P20T

更新时间： 2024-01-13 00:52:28
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 243K
描述
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXTH32P20T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.38
Base Number Matches：1

IXTH32P20T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchPTM  
Power MOSFET  
VDSS = - 200V  
ID25 = - 32A  
IXTA32P20T  
IXTP32P20T  
IXTQ32P20T  
IXTH32P20T  
RDS(on)  
≤
130mΩ  
P-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXTA)  
TO-220AB (IXTP)  
TO-3P (IXTQ)  
G
S
G
D
S
G
D (Tab)  
D
D (Tab)  
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXTH)  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
- 200  
- 200  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
+ 15  
+ 25  
V
V
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
- 32  
- 96  
A
A
D (Tab)  
G = Gate  
D
= Drain  
Tab = Drain  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
- 32  
1
A
J
S = Source  
PD  
TC = 25°C  
300  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
Features  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z Extended FBSOA  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220, TO-247 & TO-3P)  
10..65 / 2.2..14.6  
N/lb.  
Nm/lb.in.  
z Fast Intrinsic Diode  
1.13 / 10  
z
Low RDS(ON) and QG  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
g
Advantages  
TO-247  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Min. Typ. Max.  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = - 250μA  
VDS = VGS, ID = - 250μA  
VGS = ± 15V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
- 200  
V
V
z
High-Side Switching  
Push Pull Amplifiers  
DC Choppers  
Automatic Test Equipment  
Current Regulators  
Battery Charger Applications  
- 2.0  
- 4.0  
z
z
±100 nA  
z
IDSS  
- 25 μA  
-1.25 mA  
z
TJ = 125°C  
z
RDS(on)  
VGS = -10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
130 mΩ  
DS100288A(11/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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IXTH32P20T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA32P20T IXYS

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