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IXTH32P20T

更新时间： 2024-11-05 15:35:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	243K
描述
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXTH32P20T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	PLASTIC, TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.57
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	32 A	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH32P20T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 200V

I_D25= - 32A

IXTA32P20T

IXTP32P20T

IXTQ32P20T

IXTH32P20T

R_DS(on)

≤

130mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 200

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

+ 15

+ 25

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 32

- 96

D (Tab)

G = Gate

= Drain

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 32

S = Source

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

^zExtended FBSOA

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220, TO-247 & TO-3P)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb.

Nm/lb.in.

^zFast Intrinsic Diode

1.13 / 10

Low R_DS(ON)and Q_G

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ± 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 200

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

- 2.0

- 4.0

±100 nA

I_DSS

- 25 μA

-1.25 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

130 mΩ

DS100288A(11/10)

12 3 4 5 6 7

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IXTH32P20T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA32P20T	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IXTH32P20T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH340N04T4	LITTELFUSE	获取价格	40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供27
IXTH34N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTH35N25	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH35N25MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 35A I(D) \| TO-247(5)
IXTH35N25MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH35N30	IXYS	获取价格	MegaMOSTMFET
IXTH360N055T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH360N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH36N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTH36N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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