是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 35 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH35N30 | IXYS |
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MegaMOSTMFET | |
IXTH360N055T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH360N055T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTH36N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET | |
IXTH36N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTH36P10 | IXYS |
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Standard Power MOSFET | |
IXTH36P10 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 | |
IXTH36P15P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH38N30L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTH39N08MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |