是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | PLUS220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 750 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A | 最大漏极电流 (ID): | 22 A |
最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 350 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 55 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTP460P2 | IXYS |
类似代替 |
PolarP2⢠Power MOSFET | |
IXTQ460P2 | IXYS |
功能相似 |
PolarP2⢠Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFV22N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFV22N60PS | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFV26N50P | IXYS |
获取价格 |
Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode | |
IXFV26N50PS | IXYS |
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Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode | |
IXFV26N60P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated | |
IXFV26N60PS | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated | |
IXFV30N50P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV30N50PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFV30N60P | IXYS |
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PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXFV30N60PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |