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IXTP460P2

更新时间： 2024-11-05 12:26:19

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6页	159K
描述
PolarP2â¢ Power MOSFET

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IXTP460P2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	4.45
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTP460P2 数据手册

PolarP2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 24A

R_DS(on)≤ 270mΩ

t_rr(typ)= 400ns

IXTA460P2

IXTP460P2

IXTQ460P2

IXTH460P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-220AB (IXTP)

TO-263 AA (IXTA)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-247 (IXTH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

480

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zDynamic dv/dt Rated

^zLow Package Inductance

F_C

M_d

Mounting Force TO-263

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

Mounting Torque (TO-220, TO-3P & TO-247)

1.13 / 10

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC-DC Converters

± 100 nA

I_DSS

25 μA

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

270 mΩ

DS100216B(06/10)

12 3 4 5 6

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IXTP460P2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA460P2	IXYS	类似代替	PolarP2â¢ Power MOSFET
IXTH460P2	IXYS	类似代替	PolarP2â¢ Power MOSFET
IXFV22N50P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXTP460P2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP48N20T	IXYS	获取价格	TrenchHVTM Power MOSFET
IXTP48N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP48P05T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP48P05T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IXTP4N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IXTP4N100A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N100A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP4N45	IXYS	获取价格	4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm
IXTP4N45A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-220AB
IXTP4N50	IXYS	获取价格	4 AMPS 450-500 V, 1.5-ohm / 2.0-ohm

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