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IXFV26N60PS

更新时间： 2024-01-10 18:02:09

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IXYS		二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
5页	248K
描述
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated

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IXFV26N60PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	65 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFV26N60PS 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXFH 26N60P

IXFQ 26N60P

IXFT 26N60P

IXFV 26N60P

IXFV 26N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 26

R_DS(on)≤ 270 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode

Avalanche Rated

t_rr

≤ 200 ns

TO-247 (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

TO-3P(IXFQ)

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXFT)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

1.2

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

D (TAB)

PLUS220 (IXFV)

P_D

T_C= 25°C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body

300

250

°C

PLUS220SMD (IXFV_S)

M_d

Mounting torque (TO-3P&TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

11..65/2.5..15

N/lb

Weight

TO-3P

TO-248

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

5.5

6.0

5.0

4.0

D (TAB)

D = Drain

TAB = Drain

G = Gate

S = Source

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Features

^zFast Recovery diode

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

600

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

2.5

5.0

rated

^zInternational standard packages

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125°C

250

Advantages

Easy to mount

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

270 mΩ

Space savings

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS99435(08/05)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV26N60P	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFQ28N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFH28N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFETs

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IXFV30N50PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFV30N60PS	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFV36N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
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