Datasheet > IXFV26N60PS

IXFV26N60PS

更新时间： 2024-11-05 11:14:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
5页	248K
描述
N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFV26N60PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	65 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFV26N60PS 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXFH 26N60P

IXFQ 26N60P

IXFT 26N60P

IXFV 26N60P

IXFV 26N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 26

R_DS(on)≤ 270 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode

Avalanche Rated

t_rr

≤ 200 ns

TO-247 (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

TO-3P(IXFQ)

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXFT)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

1.2

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

D (TAB)

PLUS220 (IXFV)

P_D

T_C= 25°C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body

300

250

°C

PLUS220SMD (IXFV_S)

M_d

Mounting torque (TO-3P&TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

11..65/2.5..15

N/lb

Weight

TO-3P

TO-248

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

5.5

6.0

5.0

4.0

D (TAB)

D = Drain

TAB = Drain

G = Gate

S = Source

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Features

^zFast Recovery diode

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

600

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

2.5

5.0

rated

^zInternational standard packages

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125°C

250

Advantages

Easy to mount

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

270 mΩ

Space savings

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS99435(08/05)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFV26N60PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV26N60P	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFQ28N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFH28N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFETs

与IXFV26N60PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFV30N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV30N50PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFV30N60PS	IXYS	获取价格	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFV36N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV36N50PS	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFV52N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXFV52N30PS	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXFV74N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFV74N20PS	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXFV26N60PS相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV26N60PS

IXFV26N60PS 技术参数

IXFV26N60PS 数据手册

IXFV26N60PS 替代型号

与IXFV26N60PS相关器件

与IXFV26N60PS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFV26N60PS

IXFV26N60PS 技术参数

IXFV26N60PS 数据手册

IXFV26N60PS 替代型号

与IXFV26N60PS相关器件

与IXFV26N60PS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？