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IXFQ28N60P3

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	130K
描述
Polar3 HiperFET Power MOSFETs

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IXFQ28N60P3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	PLASTIC, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.47	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.26 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	695 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFQ28N60P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 600V

I_D25= 28A

R_DS(on)≤ 260mΩ

IXFQ28N60P3

IXFH28N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

600

V_DGR

TO-247 ( IXFH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

Tab

E_AS

500

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

695

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

^zLow R_DS(ON)and Q_G

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zLow Package Inductance

Weight

TO-3P

TO-247

5.5

6.0

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC-DC Converters

±100 nA

I_DSS

25 μA

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

1.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

260 mΩ

DS100322(03/11)

12 3 4 5

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IXFQ28N60P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH28N60P3	IXYS	完全替代	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXTQ26N60P	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH26N60P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXFQ28N60P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFQ30N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFQ30N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ30N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFQ34N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ50N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFQ50N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ50N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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