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IXFR120N20

更新时间： 2024-11-17 22:07:55

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HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247

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IXFR120N20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	105 A
最大漏极电流 (ID)：	105 A	最大漏源导通电阻：	0.017 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	400 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFR120N20 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TMPower MOSFETs

IXFR 120N20 V_DSS= 200 V

I_D25= 105 A

ISOPLUS247^TM

(Electrically Isolated Back Surface)

R_DS(on)= 17 mW

t_rr£ 250 ns

Single MOSFET Die

ISOPLUS 247^TM

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

200

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

Externallead(currentlimit)

T_C= 25°C, Note 1

105

480

120

Isolated back surface*

D = Drain

G = Gate

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

*Patentpending

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_J

T_C= 25°C

400

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• Low drain to tab capacitance(<25pF)

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• AC motor control

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

200

2.0

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

• Low noise to ground

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 60A

Note 2

17 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98586A(11/99)

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