IXFR150N15

更新时间： 2024-11-21 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

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IXFR150N15 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	105 A	最大漏源导通电阻：	0.0125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR150N15 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TMPower MOSFETs

IXFR 150N15 V_DSS= 150 V

ISOPLUS247^TM

I_D25= 105 A

R_DS(on)= 12.5 mW

(Electrically Isolated Backside)

t_rr£ 250 ns

Single MOSFET Die

ISOPLUS 247^TM

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

150

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

Externallead(currentlimit)

T_C= 25°C, Note 1

105

600

150

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

*Patentpending

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_J

T_C= 25°C

400

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• Low drain to tab capacitance(<35pF)

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

• Low R

HDMOS^TMprocess

• Rugge^Dd^Sp^(ooⁿ⁾lysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• AC and DC motor and servo controls

• Amplifiers

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

150

2.0

V_GS(th)

I_GSS

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100nA

Advantages

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

• Low collector capacitance to ground

(low EMI)

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 2, 3

12.5 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98656(03/17/00)

1 - 2

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