IXFR180N10

更新时间： 2024-11-17 22:11:55

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247

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IXFR180N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	165 A
最大漏极电流 (ID)：	180 A	最大漏源导通电阻：	0.008 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR180N10 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

ISOPLUS247^TM

IXFR 180N10 V_DSS= 100 V

I_D25= 165 A

(Electrically Isolated Back Surface)

R_DS(on)

8 mW

t_rr£ 250 ns

Single MOSFET Die

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

ISOPLUS 247^TM

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated back surface*

D = Drain

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

Externallead(currentlimit)

T_C= 25°C, Note 1

165

720

180

G = Gate

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

*Patentpending

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

400

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• Low drain to tab capacitance(<25pF)

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• AC motor control

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

100

2.0

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 90A

Note 1

8 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98584A(7/00)

1 - 2

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IXFR180N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
VMO150-01P1	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 165A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
HUF75652G3	FAIRCHILD	功能相似	75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET

与IXFR180N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR180N15P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR180N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR1810	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFR18N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFR18N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR200N10P	IXYS	获取价格	PolarTM HiPerFET Power MOSFET
IXFR200N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR200N10P_06	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFR20N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFR20N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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