是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.83 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 165 A |
最大漏极电流 (ID): | 180 A | 最大漏源导通电阻: | 0.008 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 400 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 720 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
VMO150-01P1 | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 165A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
HUF75652G3 | FAIRCHILD |
功能相似 |
75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR180N15P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 | |
IXFR180N15P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR1810 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFR18N90P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFR18N90P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR200N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarTM HiPerFET Power MOSFET | |
IXFR200N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR200N10P_06 | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET | |
IXFR20N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFR20N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |