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VMO150-01P1

更新时间： 2024-09-16 21:10:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 129K
描述
Power Field-Effect Transistor, 165A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ECOPAC-11

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VMO150-01P1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ECOPAC-11
针数：11Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
雪崩能效等级（Eas）：3000 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：165 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XUFM-X11
元件数量：1端子数量：11
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

VMO150-01P1 数据手册

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VMO150-01P1  
HiPerFETTM Power MOSFETs  
in ECO-PAC 2  
VDSS = 100 V  
ID25 = 165 A  
RDS(on) = 8 mΩ  
(Electrically Isolated Back Surface)  
trr  
< 250 ns  
Single MOSFET  
MOSFET  
Pinarangementseeoutlines  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
100  
100  
V
V
Features  
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- High power dissipation  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
ID25  
ID(RMS)  
IDM  
TC = 25°C (MOSFET chip capability)  
External lead (current limit)  
TC = 25°C  
165  
76  
720  
180  
A
A
A
A
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
• Low drain to tab capacitance(< 25pF)  
• Low RDS (on) HDMOSTM process  
• Rugged polysilicon gate cell structure  
• Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
1)  
IAR  
TC = 25°C  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
60  
3
mJ  
J
• Fast intrinsic Rectifier  
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
5
V/ns  
Applications  
PD  
TC = 25°C  
400  
W
• DC-DC converters  
• Battery chargers  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
• Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
• DC choppers  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 3 mA  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
VGS = 20 V, VDS = 0  
100  
2.0  
V
• AC motor control  
4.0  
V
Advantages  
100  
nA  
• Easy assembly  
• Space savings  
• High power density  
IDSS  
VDS = VDSS; TJ = 25°C  
VGS = 0 V; TJ = 125°C  
100  
2
µA  
mA  
RDS(on)  
gfs  
VGS = 10 V, ID = 90 A 1)  
VDS = 10 V; ID = 90 A 2)  
8
mΩ  
60  
90  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
9400  
3200  
1660  
pF  
pF  
pF  
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
50  
90  
140  
65  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 90 A  
RG = 1 Ω (External)  
Qg(on)  
Qgs  
Qgd  
400  
65  
220  
nC  
nC  
nC  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 90 A  
RthJC  
RthCK  
0.30 K/W  
K/W  
with heatsink compound (0.42 K/m.K; 50 µm)  
0.2  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2004 IXYS All rights reserved  
1 - 4  
1234

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VMO150-01P1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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