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IXFR15N80Q

更新时间： 2024-11-18 03:14:35

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描述
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q Class

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IXFR15N80Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ISOPLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFR15N80Q 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

ISOPLUS247^TMQ Class

IXFR 15N80Q V_DSS= 800 V

I_D25= 13 A

R_DS(on)= 0.60 W

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dV/dt

t_rr£ 250 ns

Low Gate Charge and Capacitances

Preliminary data

ISOPLUS 247^TM

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

800

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated back surface*

D = Drain

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Note 1

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

*Patentpending

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

250

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• Low drain to tab capacitance(<50pF)

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

800

• DC choppers

• AC motor control

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

2.0

4.5

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 7.5A

Note 2

0.60

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98590A(7/00)

1 - 2

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