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IXFR12N100Q

更新时间： 2024-11-17 21:55:19

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IXYS		栅极
页数	文件大小	规格书
2页	36K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances

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IXFR12N100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFR12N100Q 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TMPower MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

ISOPLUS247^TMQ CLASS

IXFR 12N100Q 1000V 10 A

IXFR 10N100Q 1000V 9 A

1.05 W

1.20 W

(Electrically Isolated Back Surface)

t_rr£ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dV/dt

Low Gate Charge and Capacitances

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

ISOPLUS 247^TM

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated back surface*

D = Drain

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

12N100

10N100

12N100

10N100

12N100

10N100

T_C= 25°C, Pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

*Patentpending

E_AR

T_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

• SiliconchiponDirect-Copper-Bond

substrate

P_D

T_C= 25°C

250

- High power dissipation

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

- Isolated mounting surface

- 2500V electricalisolation

• Low drain to tab capacitance(<50pF)

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

2500

°C

V_ISOL

Weight

50/60 Hz, RMS

t = 1 min

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• AC motor control

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

1000

2.5

5.5

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 1 & 2

12N100

10N100

1.05

1.2

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98589(1/99)

1 - 2

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IXFR12N100Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFR10N100Q	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
IXFR15N100Q3	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXFR12N100Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFR140N20P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247
IXFR140N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR140N30P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFR140N30P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFR14N100Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class
IXFR14N100Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFR150N15	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR15N100Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFR15N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFR15N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q Class

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