是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 1.1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 250 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFR10N100Q | IXYS |
完全替代 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances | |
IXFR15N100Q3 | IXYS |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR140N20P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247 | |
IXFR140N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR140N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFR140N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR14N100Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFR14N100Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFR150N15 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 | |
IXFR15N100Q3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFR15N100Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXFR15N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q Class |