是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 9.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-247AD |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 56 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFR150N15 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 | |
IXFR15N100Q3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXFR15N100Q3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFR15N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q Class | |
IXFR16N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFR16N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFR180N06 | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs | |
IXFR180N06 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFR180N07 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 | |
IXFR180N07 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |