5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247AD |
| 包装说明： | PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFR150N15 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
|
| IXFR15N100Q3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXFR15N100Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFR15N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q Class |
|
| IXFR16N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFR16N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFR180N06 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs |
|
| IXFR180N06 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFR180N07 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 |
|
| IXFR180N07 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
