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IXFR140N30P

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFR140N30P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	2.28	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	70 A
最大漏极电流 (ID)：	70 A	最大漏源导通电阻：	0.026 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFR140N30P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 70A

R_DS(on) 28m

IXFR140N30P

t_rr

 200ns

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

ISOPLUS247

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

300

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

Isolated Tab

D = Drain

300

I_A

T_C= 25C

G = Gate

S = Source

E_AS

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^Silicon Chip on Direct-Copper-Bond

Substrate

- High Power Dissipation

- Isolated Mounting Surface

- 2500V Electrical Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

t = 1s

2500

3000

I_ISOL 1mA

^Unclamped Inductive Switching (UIS)

Rated

M_d

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

N/lb.

Weight

^Low package inductance

- Easy to Drive and to Protect

Fast Intrinsic Diode



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300

3.0



5.0

200 nA

I_DSS

25 A

1 mA

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 70A, Note 1

28 m

DS99570G(11/17)

12 3 4 5 6

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