Datasheet > IXFQ30N50P

IXFQ30N50P

更新时间： 2024-11-18 21:07:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	252K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFQ30N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	75 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFQ30N50P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TMPower

HiPerFET MOSFET

V_DSS= 500 V

IXFH 30N50P

IXFT 30N50P

IXFQ 30N50P

IXFV 30N50P

IXFV 30N50PS

I_D25= 30 A

R_DS(on)= 200 mΩ

t_rr< 200 ns

N-ChannelEnhancement

ModeAvalancheRated

Fast Intrinsic Diode

TO-3P(IXFQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

500

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-247 AD (IXFH)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.2

TO-268 (IXFT)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

T_C= 25°C

460

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

PLUS220(IXFV)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering

for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220, PLUS220SMD

TO-3P

PLUS220 SMD(IXFV..S)

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified) Min. Typ. Max.

D (TAB)

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

3.0

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

5.0

100 nA

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125°C

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I

165

200 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µ^Ds²,⁵duty cycle d ≤ 2 %

DS99414(06/05)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFQ30N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFQ30N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ30N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFQ34N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ50N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFQ50N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ50N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ60N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

与IXFQ30N50P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFQ30N50P

IXFQ30N50P 技术参数

IXFQ30N50P 数据手册

与IXFQ30N50P相关器件

与IXFQ30N50P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFQ30N50P

IXFQ30N50P 技术参数

IXFQ30N50P 数据手册

与IXFQ30N50P相关器件

与IXFQ30N50P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？