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IXFQ60N60X

更新时间： 2024-09-16 14:56:11
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 高电压电源栅二极管
页数 文件大小 规格书
6页 248K
描述
采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通电阻，因此能够在高电压电源转换应用中实现高功率密度。 这种器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有低栅

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Preliminary Technical Information  
X-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 600V  
ID25 = 60A  
RDS(on) 55m  
IXFQ60N60X  
IXFH60N60X  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-3P (IXFQ)  
Fast Intrinsic Diode  
G
D
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
TO-247 (IXFH)  
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
D
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
60  
A
A
S
D (Tab)  
D = Drain  
120  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
30  
A
J
G = Gate  
S = Source  
EAS  
2.5  
Tab = Drain  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
V/ns  
W
890  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
Features  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Low Package Inductance  
Md  
Mounting Torque  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6.0  
g
g
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 8mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
600  
V
V
2.5  
4.5  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
100 nA  
IDSS  
25 A  
1.25 mA  
TJ = 125C  
Robotics and Servo Controls  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
55 m  
DS100656A(5/15)  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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