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IXFQ50N60P3

更新时间： 2024-11-02 12:20:15

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5页	173K
描述
Polar3 HiperFET Power MOSFET

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IXFQ50N60P3 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	PLASTIC, TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.43
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1040 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	125 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFQ50N60P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 50A

R_DS(on)≤ 145mΩ

IXFT50N60P3

IXFQ50N60P3

IXFH50N60P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

125

I_A

T_C= 25°C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

D (Tab)

1040

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zLow R_DS(ON)and Q_G

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±100 nA

25 μA

I_DSS

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

145 mΩ

DS100310(03/11)

12 3 4 5

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IXFQ50N60P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH50N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFK48N60P	IXYS	功能相似	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic

与IXFQ50N60P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFQ50N60X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ50N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ60N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ60N50P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiperFET Power MOSFET
IXFQ60N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFQ60N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFQ72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ72N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

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