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IXFQ50N60P3

更新时间: 2024-11-18 12:20:15
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 173K
描述
Polar3 HiperFET Power MOSFET

IXFQ50N60P3 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TO-3P
包装说明:PLASTIC, TO-3P, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:4.43
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):1000 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.145 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1040 W最大脉冲漏极电流 (IDM):125 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IXFQ50N60P3 数据手册

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Advance Technical Information  
Polar3TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 600V  
ID25 = 50A  
RDS(on) 145mΩ  
IXFT50N60P3  
IXFQ50N60P3  
IXFH50N60P3  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-268 (IXFT)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
TO-3P (IXFQ)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
600  
600  
V
V
G
VDGR  
D
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 30  
± 40  
V
V
S
D (Tab)  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
50  
A
A
TO-247 (IXFH)  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
125  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
1
A
J
EAS  
G
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25°C  
35  
V/ns  
W
D
D (Tab)  
S
1040  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
TJM  
Tstg  
Tab = Drain  
-55 ... +150  
Features  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Fast Intrinsic Rectifier  
z Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
z Low RDS(ON) and QG  
Weight  
TO-268  
TO-3P  
TO-247  
4.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
z Low Package Inductance  
Advantages  
z High Power Density  
z Easy to Mount  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
z Space Savings  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
V
V
Applications  
5.0  
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
±100 nA  
25 μA  
IDSS  
z DC-DC Converters  
z Laser Drivers  
TJ = 125°C  
2
mA  
z AC and DC Motor Drives  
z Robotics and Servo Controls  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
145 mΩ  
DS100310(03/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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