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IXFQ80N25X3

更新时间： 2024-09-17 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
7页	358K
描述
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘以栅极电荷），最大限度地降低传导和开关损耗。该系列产品表现出业内最低的导通电阻。凭借较低的反向恢复电荷

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IXFQ80N25X3 数据手册

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 80A

R_DS(on) 16m

IXFP80N25X3

IXFQ80N25X3

IXFH80N25X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-220 (IXFP)

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

250

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

TO-247 (IXFH)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

220

I_A

T_C= 25C

E_AS

1.2

D (Tab)

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

390

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



Weight

TO-220

TO-3P

TO-247

3.0

5.5

6.0

Low Package Inductance

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1.5mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

250

2.5

4.5

Applications



100 nA

A

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

I_DSS



T_J= 125C

350 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

16 m



Robotics and Servo Controls

DS100753E(6/18)

12 3 4 5 6 7

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