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IXFQ60N50P3

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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IXYS		/
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5页	167K
描述
Polar3 HiperFET Power MOSFET

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IXFQ60N50P3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	4.53	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1040 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFQ60N50P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 60A

R_DS(on)≤ 100mΩ

IXFT60N50P3

IXFQ60N50P3

IXFH60N50P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

TO-3P (IXFQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25°C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

D (Tab)

1040

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zLow R_DS(ON)and Q_G

Weight

TO-268

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.0

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

±100 nA

I_DSS

25 μA

2 mA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

100 mΩ

DS100311(03/11)

12 3 4 5

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IXFQ60N50P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTB62N50L	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFT60N50P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFET

与IXFQ60N50P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFQ60N60X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFQ72N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ72N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFQ72N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ80N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ8N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFQ90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFQ94N30P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFR100N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFR102N30P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

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