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IXFQ50N60X

更新时间： 2024-11-18 19:59:11
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IXYS /
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6页 193K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFQ50N60X 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：compliant
风险等级：8.32Base Number Matches：1

IXFQ50N60X 数据手册

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Preliminary Technical Information  
X-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 600V  
ID25 = 50A  
RDS(on) 73m  
IXFT50N60X  
IXFQ50N60X  
IXFH50N60X  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-268 (IXFT)  
Fast Intrinsic Diode  
G
S
D (Tab)  
TO-3P (IXFQ)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
D
TJ = 25C to 150C  
600  
600  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
S
D (Tab)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
TO-247 (IXFH)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
50  
A
A
120  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
20  
2
A
J
G
D
EAS  
S
D (Tab)  
D = Drain  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
50  
V/ns  
W
660  
G = Gate  
S = Source  
Tab = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-268  
TO-3P  
TO-247  
4.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
Low Package Inductance  
Advantages  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = 30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
600  
V
V
2.5  
4.5  
Applications  
100 nA  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
IDSS  
25 A  
1 mA  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
73 m  
DS100657A(5/15)  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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