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IXFK48N60P

更新时间： 2024-11-02 04:22:47

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IXYS		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	223K
描述
PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXFK48N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.78	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.135 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXFK48N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFK 48N60P

IXFX 48N60P

V_DSS

I_D2

R_DS(on)

≤

600 V

48 A

135mΩ

200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

110

PLUS247 (IXFX)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

2.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

(TAB)

T_C=25° C

830

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

M_d

Mounting torque (TO-264)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-264

PLUS247

Features

International standard packages

Fast recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

Advantages

3.0

5.0

200

Easy to mount

Space savings

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

1000

µA

High power density

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

135 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99375E(02/06)

12 3 4

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IXFK48N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFX48N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic
IXFH50N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFET

与IXFK48N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK48N60Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK50N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFK50N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK520N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
IXFK520N075T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK52N100X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK52N30	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 52A I(D) \| TO-264AA
IXFK52N30Q	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita
IXFK52N30Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK52N60Q2	IXYS	获取价格	Advanced Technical Information

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