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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-264AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 8.61 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 55 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-264AA | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK60N25Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFK60N55Q2 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFK62N25 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die |
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| IXFK64N50P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFK64N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK64N50Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFK64N60P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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| IXFK64N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK64N60P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK64N60Q3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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