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IXFK60N25Q

更新时间： 2024-11-17 22:11:55

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFK60N25Q 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 60N25Q

IXFK 60N25Q

IXFT 60N25Q

V_DSS= 250 V

I_D25= 60 A

R_DS(on)= 47 mW

£ 250 ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Low Gate Charge and Capacitances

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

250

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

240

TO-268 (D3) ( IXFT)

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

TO-264AA(IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

G = Gate

S = Source

M_d

Mountingtorque

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

TAB = Drain

Weight

Symbol

TO-247

TO-264

TO-268

Features

• Low gate charge

• Internationalstandardpackages

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

min. typ. max.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

250

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

50 mA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

47 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98630 (6/99)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK62N25	IXYS	类似代替	High Current MegaMOSFET
IXFH60N25Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXTT64N25P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK60N55Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFK62N25	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die
IXFK64N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFK64N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK64N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class
IXFK64N60P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFK64N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK64N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK64N60Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFK66N50Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class

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