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IXFK64N50P

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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4页	140K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFK64N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.24
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	64 A
最大漏极电流 (ID)：	64 A	最大漏源导通电阻：	0.085 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	830 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK64N50P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 500V

I_D25= 64A

R_DS(on)≤ 85mΩ

IXFK64N50P

IXFX64N50P

t_rr

≤ 200ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrisic Diode

TO-264 (IXFK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

(TAB)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

PLUS247 (IXFX)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25°C

(TAB)

E_AS

2.5

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

830

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• International Standard Packages

• Fast Intrinsic Diode

• Avalanche Rated

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

• Low R_DS(ON)and Q_G

• Low Package Inductance

M_d

Mounting Force

Mounting Torque

(PLUS247)

(TO-264)

20..120/4.5..27

N/lb.

Nm/lb.in.

1.13/10

Advantages

Weight

PLUS247

TO-264

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

• DC-DC Coverters

• Battery Chargers

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

• Switched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

• DC Choppers

• AC and DC Motor Drives

• Uninterrupted Power Supplies

• High Speed Power Switching

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500

3.0

5.5

±200 nA

I_DSS

25 μA

1 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

85 mΩ

DS99348F(5/09)

12 3 4

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IXFK64N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK90N20Q	IXYS	类似代替	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-CLASS
FQP13N10	FAIRCHILD	功能相似	100V N-Channel MOSFET
IXFH20N80Q	IXYS	功能相似	HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class

与IXFK64N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK64N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class
IXFK64N60P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXFK64N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK64N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK64N60Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFK66N50Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFK66N50Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK66N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFK69N30P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 300V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFK72N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs

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