Datasheet > IXFK80N20Q

IXFK80N20Q

更新时间： 2024-09-26 22:47:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	73K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK80N20Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.028 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK80N20Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 80N20Q

IXFK 80N20Q

IXFT 80N20Q

V_DSS= 200 V

I_D25= 80 A

R_DS(on)= 28 mW

t_rr

£ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q_g

Preliminary data sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

200

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

320

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

TO-264AA(IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

G = Gate

S = Source

TAB = Drain

M_d

Mountingtorque

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

Weight

Symbol

TO-247

TO-264

TO-268

Features

• Low gate charge

TestConditions

CharacteristicValues

• Internationalstandardpackages

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic Rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 uA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

200

2.0

V_GS(th)

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

25 mA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

28 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98605A (6/99)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

与IXFK80N20Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK80N20S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 80A I(D) \| TO-264SMD
IXFK80N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFK80N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK80N50Q3	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class
IXFK80N60P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFK80N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFK80N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFK80N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK88N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK88N30P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET

与IXFK80N20Q相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

16
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

13
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

17
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK80N20Q

IXFK80N20Q 技术参数

IXFK80N20Q 数据手册

与IXFK80N20Q相关器件

与IXFK80N20Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK80N20Q

IXFK80N20Q 技术参数

IXFK80N20Q 数据手册

与IXFK80N20Q相关器件

与IXFK80N20Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？