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IXFK73N30

更新时间： 2024-11-17 22:45:15
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK73N30 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-264包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.3其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：73 A
最大漏极电流 (ID)：73 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-264
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：500 W
最大功率耗散 (Abs)：500 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：292 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFK73N30 数据手册

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HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
V
I
R
DSS  
D25  
DS(on)  
IXFK 73 N 30 300 V  
IXFN 73 N 30 300 V  
73 A  
73 A  
45 mΩ  
45 mΩ  
t ≤ 200 ns  
rr  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr  
TO-264 AA (IXFK)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
IXFK  
IXFN  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
300  
300  
300  
300  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
(TAB)  
G
D
S
VGS  
Continuous  
Transient  
20  
30  
20  
30  
V
V
VGSM  
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)  
E153432  
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
73  
292  
40  
73  
292  
40  
A
A
A
S
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
G
EAR  
TC = 25°C  
30  
5
30  
5
mJ  
S
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 W  
,
V/ns  
D
PD  
TC = 25°C  
500  
520  
W
G = Gate  
S = Source  
D=Drain  
TAB = Drain  
TJ  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
asMainorKelvinSource  
TJM  
Tstg  
Features  
Internationalstandardpackages  
l
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
50/60 Hz, RMS t = 1 min  
-
°C  
l
JEDEC TO-264 AA, epoxy meet  
UL94V-0,flammabilityclassification  
VISOL  
-
-
2500  
3000  
V~  
V~  
IISOL ≤ 1 mA  
t = 1 s  
l
miniBLOCwithAluminiumnitride  
isolation  
Low RDS (on) HDMOSTM process  
Ruggedpolysilicongatecellstructure  
Md  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque  
0.9/6  
-
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
l
l
l
Weight  
10  
30  
g
UnclampedInductiveSwitching(UIS)  
rated  
l
Lowpackageinductance  
FastintrinsicRectifier  
l
Applications  
DC-DC converters  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
l
l
Synchronousrectification  
Batterychargers  
l
l
Switched-modeandresonant-mode  
power supplies  
DC choppers  
Temperatureandlightingcontrols  
Low voltage relays  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
300  
2
V
V
VGS(th)  
4
l
l
IGSS  
IDSS  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
200 nA  
400 uA  
l
VDS = 0.8 VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
2
mA  
Advantages  
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
l
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
45 mΩ  
l
l
© 2001 IXYS All rights reserved  
92805J (11/01)  
1234

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