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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-264AA |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-264, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 73 A | 最大漏源导通电阻： | 0.045 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 292 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFK73N30Q | IXYS |
类似代替  |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
|
| IXFK52N30Q | IXYS |
类似代替 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita |
|
| IXFX90N30 | IXYS |
类似代替 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK73N30Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
|
| IXFK74N50P2 | IXYS |
获取价格 |
PolarP2 HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFK78N50P3 | IXYS |
获取价格 |
Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFK78N50P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFK80N10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264AA |
|
| IXFK80N15Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFK80N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFK80N20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFK80N20Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFK80N20S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264SMD |
|
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