5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-264SM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, FAST SWITCHING, UL RECOGNIZED | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 500 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK90N30 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFK90N30 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFK90N60X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFK94N50P2 | IXYS |
获取价格 |
PolarP2 HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFK94N50P2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFK98N50P3 | IXYS |
获取价格 |
Polar3 HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFK98N50P3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的 |
|
| IXFL100N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFL100N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFL10N60 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
