IXFK90N30

更新时间： 2024-11-01 22:07:55

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK90N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	90 A
最大漏极电流 (ID)：	90 A	最大漏源导通电阻：	0.033 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	560 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK90N30 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFX 90N30

IXFK 90N30

V_DSS= 300 V

I_D25= 90 A

R_DS(on)= 33 mΩ

Single MOSFET Die

t ≤ 250 ns

PLUS247^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

300

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D104

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

T_C= 104°C (External lead capability)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

360

TO-264AA(IXFK)

I_AR

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

Features

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

TO-264

0.4/6

Nm/lb.in.

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic rectifier

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

min. typ. max.

DC choppers

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

300

2.0

AC motor control

Temperature and lighting controls

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

2 mA

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Note 1

33 mΩ

Space savings

High power density

98537A (12/01)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFK73N30	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK73N30Q	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS
IXFK52N30Q	IXYS	类似代替	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK90N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK94N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiPerFET Power MOSFET
IXFK94N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK98N50P3	IXYS	获取价格	Polar3 HiPerFET Power MOSFET
IXFK98N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFL100N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFL100N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFL10N60	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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