是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 14 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFL36N100P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXFL36N110P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFL36N110P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFL38N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFL38N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFL38N100Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class | |
IXFL38N100Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFL39N90 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS264 | |
IXFL40N110P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFL44N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |