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IXFL80N50Q2

更新时间： 2024-11-21 14:56:39

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFL80N50Q2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	55 A	最大漏极电流 (ID)：	55 A
最大漏源导通电阻：	0.066 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	380 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFL80N50Q2 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFET

Q2-Class

V_DSS= 500V

I_D25= 55A

IXFL80N50Q2

≤ 66mΩ

t_rr^DS(on)≤ 250ns

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low Intrinsic R_G

High dV/dt, Low t_rr

ISOPLUS264^TM( IXFL)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

320

G = Gate

D = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

S = Source

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

380

V/ns

Features

ꢀ

Electrically isolated mounting tab

Double metal process for low gate

resistance

ꢀ

T_J

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Unclamped Inductive Switching

(UIS) rated

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic diode

F_C

Mounting force

30..120/6.7..27

N/lbs

Applications

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

2500

3000

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 s

ꢀ

DC-DC converters

Switched-mode and resonant-mode

ꢀ

Weight

Symbol

power supplies

DC choppers

Pulse generation

Laser drivers

ꢀ

Test Conditions

Characteristic Values

ꢀ

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

Advantages

ꢀ

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30 V, V_DS= 0V

500

2500 V~ Electrical isolation

ISOPLUS 264^TMpackage for clip or

ꢀ

3.0

5.5

spring mounting

Space savings

High power density

ꢀ

± 200 nA

100 μA

ꢀ

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 40A, Note 1

66 mΩ

DS99360B(05/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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