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IXFL36N100P

更新时间： 2024-01-31 13:48:30

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力特 - LITTELFUSE		/
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2页	86K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IXFL36N100P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	520 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

IXFL36N100P 数据手册

Advance Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1100V

I_D25= 26A

R_DS(on)≤ 260mΩ

≤ 300ns

IXFL36N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

ISOPLUS i5-Pak^TM(HV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1100

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

110

I_AR

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

E_AS

Features

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

^zInternational standard isolated

package

520

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zUL recognized package

T_JM

T_stg

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

-55 ... +150

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

V_ISOL

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

50/60 Hz, RMS, 1 minute

2500

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

3000

F_C

Mounting force

40..120/4.5..27

N/lb.

Fast intrinsic diode

Weight

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

1100

3.5

Typ. Max.

Applications:

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode

6.5

power supplies

± 300 nA

^zHigh Voltage Pulse Power

Applications

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Laser Pulsers

T_J= 125°C

4.0 mA

Spark Igniters, RF Generators

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 18A, Note 1

260 mΩ

DS99907(10/07)

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