IXFL44N80

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS264

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IXFL44N80 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	44 A
最大漏源导通电阻：	0.165 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	176 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFL44N80 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

IXFL 44N80 V_DSS= 800 V

I_D2544 A

R_DS(on)= 0.165 Ω

ISOPLUS264^TM

(Electrically Isolated Backside)

Single Die MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Preliminary Data Sheet

ISOPLUS-264^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

800

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

176

G = Gate

C = Collector

T^C= 25°C, Note 1

E = Emitter

Tab = Collector

T^C_C= 25°C

E_AR

T_C= 25°C

Features

E_AS

^zSilicon chip on Direct-Copper-Bond

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

-2500Velectricalisolation

P_D

T_C= 25°C

550

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

^zLowdraintotabcapacitance(<30pF)

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRuggedpolysilicongatecellstructure

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

50/60 Hz, RMS t = 1 min

300

°C

^zUnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

V_ISOL

2500

3000

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 s

^zFastintrinsicRectifier

Weight

Symbol

Applications

DC-DC converters

Batterychargers

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

800

2.0

DC choppers

V_GS(th)

I_GSS

4.0 V

100 nA

^zAC motor control

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

= 25°C

100 µA

T_J^J= 125°C

2 mA

Easy assembly

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Note 1

0.165 Ω

High power density

DS99085(09/03)

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