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IXFM12N100

更新时间： 2024-11-17 22:11:55

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFM12N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	1.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-204AA	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	300 W
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFM12N100 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25R_DS(on)

IXFH/IXFM10N100

IXFH/IXFM12N100

IXFH13N100

1000V 10 A 1.20 W

1000V 12 A 1.05 W

1000V 12.5 A 0.90 W

t_rr£ 250 ns

Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

1000

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

10N100

12N100

13N100

10N100

12N100

13N100

10N100

12N100

13N100

12.5

TO-204 AA (IXFM)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

P_D

T_J

T_C= 25°C

300

-55 ... +150

°C

Features

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

^●Internationalstandardpackages

^●Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^●Rugged polysilicon gate cell structure

^●Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

^●Low package inductance

- easy to drive and to protect

^●Fast intrinsic Rectifier

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

●

DC-DC converters

Synchronousrectification

Battery chargers

Switched-modeandresonant-mode

●

min. typ. max.

●

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

1000

2.0

powersupplies

V_GS(th)

4.5

●

DC choppers

^●AC motor control

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 mA

●

Temperatureandlightingcontrols

Low voltage relays

●

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

●

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

10N100

12N100

13N100

1.20

1.05

0.90

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolatedmountingscrewhole)

Space savings

High power density

●

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91531F(4/99)

1 - 4

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