5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.85 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 24 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 24 A | 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 300 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 96 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFM26N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFM30N40Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXFM35N30 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFM40N30 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFM40N30 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFM40N30L | IXYS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IXFM42N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFM50N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFM50N20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFM58N20 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
