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IXFM15N80

更新时间: 2024-01-28 08:22:39
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 430K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-204AE

IXFM15N80 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):15 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):300 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
Base Number Matches:1

IXFM15N80 数据手册

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