是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 1.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-204 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 180 W |
最大功率耗散 (Abs): | 180 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFM7N90 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFM8N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFM8N80 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247AD | |
IXFM9N100 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFMIXFT24N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN100N10 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFN100N10S1 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes | |
IXFN100N10S2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes | |
IXFN100N10S3 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes | |
IXFN100N120 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |