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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFM20N60 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFM20N60 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFM21N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFM21N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFM21N60 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFM24N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFM24N50 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFM26N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFM30N40Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXFM35N30 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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