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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFMIXFT24N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN100N10 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFN100N10S1 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes |
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| IXFN100N10S2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes |
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| IXFN100N10S3 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs with Schottky Diodes |
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| IXFN100N120 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXFN100N20 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFN100N20 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN100N25 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low |
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| IXFN100N50P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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