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IXFM6N100

更新时间: 2024-11-04 22:47:59
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
8页 296K
描述
HIPERFET Power MOSFTETs

IXFM6N100 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3
包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.82
其他特性:AVALANCHE RATED外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6 A最大漏极电流 (ID):6 A
最大漏源导通电阻:2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-204JESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:180 W
最大功率耗散 (Abs):180 W最大脉冲漏极电流 (IDM):24 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXFM6N100 数据手册

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