IXFM75N10

更新时间： 2024-02-17 20:43:33

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFM75N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.02 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-204
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFM75N10 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFH/IXFM 67 N10

IXFH/IXFM 75 N10

100V 67 A 25 mW

100V 75 A 20 mW

t_rr£ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

100

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

67N10

75N10

TO-204 AE (IXFM)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

67N10

75N10

268

300

67N10

75N10

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

●

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_JM

T_stg

●

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

●

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

●

DC-DC converters

Synchronousrectification

Battery chargers

Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

100

2.0

●

DC choppers

AC motor control

Temperatureandlightingcontrols

Low voltage relays

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 mA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

●

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

67N10

75N10

0.025

0.020

(isolatedmountingscrewhole)

Space savings

High power density

●

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

●

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91521F (10/95)

1 - 4

12 3 4

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