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IXFN110N85X

更新时间： 2024-11-18 21:16:35

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5页	133K
描述
Power Field-Effect Transistor

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IXFN110N85X 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.32
Base Number Matches：	1

IXFN110N85X 数据手册

Advance Technical Information

X-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 850V

I_D25= 110A

R_DS(on) 33m

IXFN110N85X

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

850

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

110

220

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_A

E_AS

T_C= 25C

P_D

T_C= 25C

1170

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

Isolation Voltage 2500V~

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Diode



V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in



Avalanche Rated

Weight

Low R_DS(on)

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

850

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

5.5

200 nA

50 A



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS



DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 55A, Note 1

33 m



DS100731(6/16)

12 3 4 5

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