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IXFN150N10

更新时间： 2024-09-26 22:11:55
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN150N10 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：150 A
最大漏极电流 (ID)：150 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：520 W
最大功率耗散 (Abs)：520 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：560 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFN150N10 数据手册

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HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFK100N10  
IXFN150N10  
100V 100 A 12 mW  
100V 150 A 12 mW  
trr £ 200 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr  
TO-264 AA (IXFK)  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
IXFK  
IXFN  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
100  
100  
100  
100  
V
V
G
(TAB)  
D
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW  
S
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
±20  
±30  
V
V
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)  
VGSM  
E153432  
S
ID25  
ID120  
IDM  
TC = 25°C  
100   
76  
150  
-
A
A
A
A
G
D
TC = 120°C, limited by external leads  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
560  
75  
560  
75  
G
IAR  
S
EAR  
TC = 25°C  
30  
5
30  
5
mJ  
S
D
S
dv/dt  
IS £ IDM, di/dt £ 100 A/ms, VDD £ VDSS  
TJ £ 150°C, RG = 2 W  
,
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
as Main or Kelvin Source  
PD  
TC = 25°C  
500  
520  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
Features  
TJM  
Tstg  
●
Internationalstandardpackages  
JEDECTO-264 AA,epoxymeet  
●
UL94V-0, flammability classification  
miniBLOCwithAluminiumnitride  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
-
°C  
●
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
IISOL £ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
-
-
2500  
3000  
V~  
V~  
isolation  
Low RDS (on) HDMOSTM process  
●
●
Rugged polysilicon gate cell structure  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
Fast intrinsic Rectifier  
Md  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque  
0.9/6  
-
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
●
●
Weight  
10  
30  
g
●
Applications  
Symbol  
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
●
DC-DC converters  
Synchronousrectification  
Battery chargers  
Switched-modeandresonant-mode  
●
min. typ. max.  
●
●
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
100  
2
V
V
powersupplies  
DC choppers  
Temperatureandlightingcontrols  
Low voltage relays  
VGH(th)  
4
●
●
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
400 mA  
●
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
2
mA  
Advantages  
●
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 75 A  
Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %  
12 mW  
●
●
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
92803G(8/96)  
1 - 4  
1234

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