IXFN200N07

更新时间： 2024-11-17 21:53:51

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	191K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN200N07 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	70 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	200 A
最大漏极电流 (ID)：	200 A	最大漏源导通电阻：	0.006 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	520 W
最大功率耗散 (Abs)：	520 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN200N07 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFN 200 N06

IXFN 180 N07

IXFN 200 N07

60 V

70 V

200 A 6 mW

180 A 7 mW

200 A 6 mW

Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

t_rr£ 250 ns

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

T_J= 25°C to 150°C

N07

N06

N07

N06

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C; Chip capability

200N06/200N07

180N07

200

180

100

I_L(RMS)

Terminalcurrentlimit

G = Gate

D = Drain

S = Source

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

600

100

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

• Internationalstandardpackages

• miniBLOCwithAluminiumnitride

isolation

P_D

T_C= 25°C

520

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13Nm/lb.in.

Applications

Weight

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

• Low voltage relays

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

N06

N07

V_{GS (th)}

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= 0.8 • V_DSS

±200 nA

400 mA

Advantages

I_DSS

T_J= 25°C

V_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

200N06/200N07

180N07

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97533A(9/99)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN180N07	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
STE180N05	STMICROELECTRONICS	功能相似	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE
IXFN340N06	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

与IXFN200N07相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN200N10P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFN200N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN20N120	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN20N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN20N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN210N20P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET
IXFN210N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN210N30P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN210N30P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFN210N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

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