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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 199K | |
描述 | ||
功能与特色: 优点: 应用: |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.75 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
雪崩能效等级(Eas): | 4000 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 200 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0075 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Nickel (Ni) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN20N120 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFN20N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN20N120P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN210N20P | IXYS |
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Polar HiPerFET | |
IXFN210N20P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN210N30P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN210N30P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXFN210N30X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFN21N100 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 21A I(D) | |
IXFN21N100Q | IXYS |
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HiPerFET TM Power MOSFETs Q-Class |