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IXFN340N06

更新时间： 2024-11-04 22:11:55

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFN340N06 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	340 A
最大漏极电流 (ID)：	340 A	最大漏源导通电阻：	0.003 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	700 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN340N06 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

V_DSS= 60 V

IXFN 340N06

I_D25

= 340 A

= 3 mW

R_DS(on)

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C, Chip capability

Terminalcurrentlimit

340

100

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

1360

200

I_AR

G = Gate

D = Drain

S = Source

E_AR

T_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

asMainorKelvinSource

E_AS

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

700

Internationalstandardpackages

miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Ruggedpolysilicongatecellstructure

UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS t = 1 min

2500

3000

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 s

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13 Nm/lb.in.

Lowpackageinductance

FastintrinsicRectifier

Weight

Applications

DC-DC converters

Batterychargers

Switched-modeandresonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

DC choppers

Temperatureandlightingcontrols

V_GH(th)

2.0

4.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

100 mA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I = 100A

Pulse test, t £^D300 ms,

duty cycle d £ 2 %

98751 (10/00)

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IXFN360N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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